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為什么EUV光刻機難造?華為另辟蹊徑,半導體產業(yè)鏈走出至暗時刻

作者:極客講科技 來源: 頭條號 80705/09

科學技術是第一生產力,科技決定國力,科技改變國運。因此,擁有更多高科技技術就可以掌握話語權,決定國家在全球的影響力和地位。當下來看,半導體產業(yè)是高新科技的“制高點”,也是國產企業(yè)的重要突破口。畢竟西方一直對我們采取限制措施:一方面禁止ASM

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科學技術是第一生產力,科技決定國力,科技改變國運。因此,擁有更多高科技技術就可以掌握話語權,決定國家在全球的影響力和地位。

當下來看,半導體產業(yè)是高新科技的“制高點”,也是國產企業(yè)的重要突破口。畢竟西方一直對我們采取限制措施:一方面禁止ASML出口EUV光刻機,扼殺華為制造旗艦芯片的能力;另一方面禁止臺積電幫助代工海思麒麟芯片,讓華為任正非徹底無路可走。

看到這里相信大家都會有一個疑問,那就是「為什么EUV光刻機難造?」ASML高層就曾明確表示:“就算公開設計圖紙,也沒有一家企業(yè)能造出EUV光刻機出來”。

事實上,光刻機原理跟單反類似,最核心的技術就是鏡頭,將光罩上設計好的集成電路圖形通過光線的曝光印到光感材料上,形成圖形。

其次,分辨率、套刻精度也是重要技術指標,它們分別決定了光刻機能夠被應用的工藝節(jié)點水平以及兩道光刻工序之間彼此圖形的偏差。

正因如此,中科院院士表態(tài):國產光刻機技術至少落后ASML15年,短時間內還無法突破。


當然,即便擁有EUV光刻機,并不意味著能量產高端芯片。這中間牽涉的方面太多了,比如高純度硅、光刻膠、靶材什么的,還有刻蝕機等設備。

慶幸的是,在光刻機領域遇到瓶頸后,華為開始另辟蹊徑,在芯片制造方面下了一番功夫。

根據相關報道:華為目前已經擁有多項芯片3D堆疊方面的技術,并且已經能夠將兩塊14nm芯片通過堆疊來實現7nm芯片的性能了。

當然,目前華為自研的3D堆疊技術還存在部分缺陷,譬如成本、能耗等問題還有待克服,一旦徹底解決后,就能馬上投入使用,改變中芯國際等芯片企業(yè)無法量產7nm旗艦芯片的現狀。

從某種程度上來說,華為推動國產半導體產業(yè)鏈走出了至暗時刻,并為2025年實現芯片自給率70%奠定了堅實基礎。

毋庸置疑,中國是全球半導體領域的重要角色。面對西方的技術壁壘,華為、OPPO、vivo等國產企業(yè)們正積極推動產業(yè)鏈發(fā)展,并且已經投入大量資金以及人才用于科研制造。

可以說,國產半導體芯片的發(fā)展前景依舊樂觀,而西方遏制我們的想法注定不會實現。

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