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來(lái)源：券商中國(guó)

繼諾安成長(zhǎng)舉牌卓勝微后，僅過(guò)了3個(gè)月，市場(chǎng)再現(xiàn)公募增持半導(dǎo)體。

根據(jù)華夏基金12月16日公告，華夏上證科創(chuàng)板50成份ETF增持中芯國(guó)際境內(nèi)股票267.64萬(wàn)股，增持后持股比例從4.94%提升至5.07%，占中芯國(guó)際總股本比例由1.22%提升至1.25%。

實(shí)際上，大舉布局半導(dǎo)體龍頭，似乎成了今年年末各家公募“不謀而合”的行為。除華夏外，南方、博時(shí)、興證全球、交銀施羅德、睿遠(yuǎn)、諾安、財(cái)通、諾德、大成、金鷹等逾10家公募，成為了三安光電、TCL科技等龍頭股的定增大戶。

公募趕在年底卡位追逐半導(dǎo)體，與半導(dǎo)體的庫(kù)存周期有密切聯(lián)系，這在公募的最新預(yù)判中展現(xiàn)得淋漓盡致：全球半導(dǎo)體周期可能在明年中期見(jiàn)底，但A股的半導(dǎo)體周期在明年一季度就有望見(jiàn)底，并且目前已有見(jiàn)底跡象！此前，半導(dǎo)體指數(shù)估值最高的時(shí)候大概有150倍，現(xiàn)在大概只有30-40倍。

“增持+定增”前后夾攻

根據(jù)華夏基金12月16日公告，華夏上證科創(chuàng)板50成份ETF在12月14日通過(guò)交易所增持中芯國(guó)際境內(nèi)股票267.64萬(wàn)股，增持比例為0.14%。此次增持后，該基金持有中芯國(guó)際境內(nèi)股票9927.93萬(wàn)股，占中芯國(guó)際境內(nèi)總股本比例從4.94%提升至5.07%，占中芯國(guó)際總股本比例由1.22%提升至1.25%。華夏基金表示，中芯國(guó)際是華夏上證科創(chuàng)板50成份ETF的標(biāo)的指數(shù)成份股，持股變動(dòng)系根據(jù)基金投資策略進(jìn)行投資。

根據(jù)中芯國(guó)際三季報(bào)，華夏上證科創(chuàng)板50成份ETF為第三大流通股東。此外，銀河創(chuàng)新成長(zhǎng)混合與華夏國(guó)證半導(dǎo)體芯片ETF分別持有3050萬(wàn)股和2865.80萬(wàn)股，分別位列第五和第六大流通股東。

公募基金增持半導(dǎo)體上市公司并非只此一例。早在今年9月，重倉(cāng)半導(dǎo)體的人氣基金諾安成長(zhǎng)混合通過(guò)集中競(jìng)價(jià)交易增持卓勝微51.95萬(wàn)股，增持后持股比例達(dá)到5.0065%，成為單只基金舉牌上市公司的罕見(jiàn)案例。

與增持相比，參與定增是公募基金追逐半導(dǎo)體龍頭更為常見(jiàn)的方式。

根據(jù)12月15日晚間TCL科技披露的定增獲配結(jié)果，19家獲配機(jī)構(gòu)中公募占去7位。其中諾德基金獲配2.62億股，成本為8.95億元；財(cái)通基金、南方基金、大成基金獲配數(shù)量均在1億股以上。此外參與定增的還有金鷹基金、交銀施羅德基金和睿遠(yuǎn)基金。TCL科技稱，此次定增資金將用于“第 8.6 代氧化物半導(dǎo)體新型顯示器件生產(chǎn)線項(xiàng)目”以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

依然以12月為例，半導(dǎo)體龍頭三安光電的定增，也迎來(lái)了興證全球基金、睿遠(yuǎn)基金、諾安基金、博時(shí)基金等6家公募爭(zhēng)奪。根據(jù)三安光電近期公告，該公司于2021年9月啟動(dòng)的定增歷時(shí)一年多后終于落地。最終確定的15家配售對(duì)象中有興證全球基金、諾德基金、財(cái)通基金、睿遠(yuǎn)基金、諾安基金、博時(shí)基金6家公募基金參與認(rèn)購(gòu)，認(rèn)購(gòu)數(shù)量分別為9200萬(wàn)股、5174.19萬(wàn)股、2954.84萬(wàn)股、2838.71萬(wàn)股、1483.87萬(wàn)股、1483.87萬(wàn)股，認(rèn)購(gòu)金額分別為14.26億元、8.02億元、4.58億元、4.40億元、2.30億元、2.30億元，合計(jì)35.86億元，79億元總定增金額中占比超45%。

截至三季度末，傅鵬博管理的睿遠(yuǎn)成長(zhǎng)價(jià)值、蔡嵩松的諾安成長(zhǎng)、謝治宇管理的興全合潤(rùn)和興全合宜分別位列三安光電第四、第六、第七、第十大流通股。

周期見(jiàn)底跡象已出現(xiàn)

公募選擇在年底大舉追逐半導(dǎo)體，不僅與半導(dǎo)體庫(kù)存周期有關(guān)，更與該賽道的“厚雪長(zhǎng)坡”屬性有關(guān)。該板塊當(dāng)前雖處低谷，但公募選擇了“風(fēng)物長(zhǎng)宜放眼量”。

“目前半導(dǎo)體周期仍處在下行階段?！眳R豐晉信科技先鋒股票基金經(jīng)理陳平分析，半導(dǎo)體基本上3-4年為一個(gè)周期，而且是一半上行一半下行，或者上行多一點(diǎn)，下行會(huì)快一點(diǎn)。按照歷史規(guī)律，當(dāng)半導(dǎo)體周期第一次出現(xiàn)負(fù)值時(shí)差不多7個(gè)月見(jiàn)底。因此，全球的半導(dǎo)體周期可能會(huì)在明年中期見(jiàn)底，行業(yè)重新向上后預(yù)計(jì)會(huì)有很多機(jī)會(huì)。

金信深圳成長(zhǎng)的基金經(jīng)理黃飆也持有類似觀點(diǎn)。他指出，今年由于高通脹和疫情反復(fù)帶來(lái)的全球消費(fèi)放緩，導(dǎo)致消費(fèi)類半導(dǎo)體需求下滑，庫(kù)存有一定堆積。但隨著去庫(kù)存的不斷進(jìn)行，庫(kù)存水平已有明顯下降，明年上半年晶圓大廠供給可能也會(huì)收緊；需求方面，隨著通脹回落以及疫情影響逐步消除，疊加芯片在持續(xù)創(chuàng)新進(jìn)步，該賽道的性價(jià)比會(huì)顯著提升，半導(dǎo)體消費(fèi)需求有望回升，全球消費(fèi)類半導(dǎo)體供需有望在1-2個(gè)季度開(kāi)始重新趨于平衡。

“芯片是一個(gè)典型的周期行業(yè)，芯片的下游對(duì)應(yīng)工業(yè)、通信、汽車(chē)、自動(dòng)化、消費(fèi)電子各個(gè)行業(yè)，跟宏觀信息關(guān)聯(lián)度很高，歷史上每一輪芯片周期跟全球的宏觀周期高度匹配。從去年的7月份開(kāi)始，整個(gè)芯片周期持續(xù)地往下走，現(xiàn)在來(lái)看有見(jiàn)底的跡象。”博時(shí)基金權(quán)益投資四部投資總監(jiān)助理兼基金經(jīng)理肖瑞瑾說(shuō)。

陳平明確指出，A股的半導(dǎo)體周期在明年一季度見(jiàn)底。業(yè)績(jī)開(kāi)始往上之時(shí)可能又是半導(dǎo)體的投資機(jī)會(huì)。半導(dǎo)體在A股越來(lái)越重要，電子行業(yè)基本上一直是A股總市值前五的行業(yè)，有時(shí)還更靠前，而半導(dǎo)體的市值占電子行業(yè)半壁江山，利潤(rùn)貢獻(xiàn)也是越來(lái)越高。

陳平認(rèn)為，半導(dǎo)體估值從高點(diǎn)下來(lái)，跌幅在70%左右較為常見(jiàn)。此前指數(shù)估值最高的時(shí)候大概有150倍，現(xiàn)在大概只有30-40倍。

布局這些穿越周期品種

在具體布局上，陳平認(rèn)為半導(dǎo)體投資短期需要選擇穿越周期的品種，同時(shí)跟蹤景氣度變化。在景氣回升之前，要選擇市占率能夠真實(shí)提升的、阿爾法比較顯著的行業(yè)，如果預(yù)期景氣回升則會(huì)重回貝塔。他特別提到，半導(dǎo)體不僅是一個(gè)自主可控概念，還代表了產(chǎn)業(yè)升級(jí)概念。近期半導(dǎo)體行業(yè)受外部影響較多，短期的影響是成熟制程加速替代、先進(jìn)制程擴(kuò)展暫緩，可能還會(huì)影響市占率提升的斜率，但長(zhǎng)期看不影響終值，拉長(zhǎng)時(shí)間來(lái)看一定能夠突破。

“半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化發(fā)生在產(chǎn)業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域，未來(lái)兩三年在偏消費(fèi)級(jí)領(lǐng)域，以及部分的工業(yè)級(jí)領(lǐng)域，那些已經(jīng)從0到1走向1到10階段的領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)替代確定性都比較高?！秉S飆表示重點(diǎn)關(guān)注兩大領(lǐng)域：一是設(shè)計(jì)或制造方面，基于成熟制程的細(xì)分領(lǐng)域，包括模擬（含射頻）、功率、SoC、存儲(chǔ)、光電子、傳感器等方向；二是設(shè)備方面，基于成熟制程在后道的測(cè)試、封裝，前道的清洗、刻蝕、沉積、離子注入、量測(cè)、涂膠顯影等領(lǐng)域。

肖瑞瑾認(rèn)為，當(dāng)下芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)入到一個(gè)兌現(xiàn)的延伸周期。比如在信創(chuàng)領(lǐng)域，硬件包括芯片層面的中央處理器 CPU、存儲(chǔ)芯片、網(wǎng)絡(luò)交換芯片等方面；創(chuàng)新方面新材料創(chuàng)新（半導(dǎo)體新材料）、芯片技術(shù)創(chuàng)新（碳化硅）等領(lǐng)域。

此外針對(duì)半導(dǎo)體材料中的碳化硅，肖瑞瑾表示，碳化硅作為三代半導(dǎo)體，是對(duì)硅基IGBT的取代，但是其成本較高，所以取代的速度還沒(méi)有那么快，但隨著中國(guó)企業(yè)技術(shù)的突破與良率的提升，碳化硅的成本會(huì)有明顯下降，碳化硅部分取代IGBT會(huì)帶來(lái)放量上漲，因此明年也是比較看好的。

責(zé)編：萬(wàn)健祎

校對(duì)：高源

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王錦程

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