財聯(lián)社12月18日訊（編輯 旭日）在近日舉行的世界頂級的半導體和電子器件技術論壇IEEE IEDM上，中科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器）成功被大會接收。

龍世兵課題組基于氧化鎵異質(zhì)PN結(jié)的前期研究基礎，將異質(zhì)結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)成功應用于氧化鎵肖特基二極管。該研究通過合理設計優(yōu)化JTE區(qū)域的電荷濃度，確保不影響二極管正向特性的同時最大化削弱肖特基邊緣電場，從而有效提高器件的耐壓能力。

中國科學院院士郝躍表示，氧化鎵材料是最有可能在未來大放異彩的材料之一，在未來的10年左右，氧化鎵器件有可能成為有競爭力的電力電子器件，會直接與碳化硅器件競爭。業(yè)內(nèi)普遍認為，氧化鎵有望替代碳化硅和氮化鎵成為新一代半導體材料的代表。目前，各國的半導體企業(yè)都爭先恐后布局，氧化鎵正在逐漸成為半導體材料界一顆冉冉升起的新星。

公開資料顯示，氧化鎵擁有超寬帶隙（4.2-4.9eV）、超高臨界擊穿場強（8MV/cm）、超強透明導電性等優(yōu)異物理性能，導通特性約為碳化硅的10倍，理論擊穿場強約為碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽車、軌道交通、可再生能源發(fā)電等領域在能源方面的消耗。

據(jù)NCT預測，到2030年氧化鎵晶圓的市場將達到約590億日元（約4.2億美元）。有數(shù)據(jù)顯示，到2030年，氧化鎵功率半導體市場規(guī)模將達15億美元。

目前氧化鎵單晶襯底供應方面，日本NCT公司占有全球90%以上的市場份額。國內(nèi)看，我國研究氧化鎵的機構(gòu)和高校較多，也取得了很多研究成果，有望在應用場景和需求量逐漸明確之后，進行科技成果轉(zhuǎn)移。

據(jù)財聯(lián)社不完全統(tǒng)計，今年以來多家上市公司紛紛在互動易上披露氧化鎵相關業(yè)務研發(fā)情況，涉及公司包括中航機電、新湖中寶、中鋼國際、藍曉科技、南大廣電、阿石創(chuàng)等，具體如下：

此外，中國西電子公司西電電力持股陜西半導體先導技術中心，該中心有進行氧化鎵、金剛石半導體、石墨烯、AIN等化合物半導體、化合物集成電路等創(chuàng)新性科研成果的轉(zhuǎn)化。

不過，值得注意的是，分析人士表示，目前約80%的研究機構(gòu)朝著功率器件的方向努力。但由于氧化鎵材料適用于高功率領域，這就意味著其下游應用不能從消費電子開始，而需要從工業(yè)領域、新能源汽車等領域緩慢導入，因此氧化鎵下游應用還需時間。